Samsung Electronics porta a termine la memoria DRAM DDR5 da 12 nm
Questo modello promette velocità fino a 7,2 Gbps e una riduzione del 23% del consumo energetico rispetto alla DRAM scorsa.
Samsung Electronics fa un passo avanti nel segmento delle memorie DRAM. È, infatti, stato appena annunciato il modello DDR5 da 16 Gb, costruito con tecnologia a 12 nm.
Per questo, Samsung ha utilizzato un nuovo materiale e una tecnologia di design che migliora le caratteristiche del circuito. Samsung promette velocità fino a 7,2 Gbps e una riduzione del consumo energetico pari al 23% rispetto alla DRAM precedente.
Questa memoria sarà “chiave per promuovere l’adozione di DRAM DDR5 su tutto il mercato”, ritiene Jooyoung Lee, vicepresidente esecutivo di tecnologia e prodotto DRAM per Samsung Electronics, che intende iniziare la produzione massiva nel 2023.
“Con una performance e un’efficienza energetica eccezionali, speriamo che questa nuova DRAM serva come base per operazioni più sostenibili in aree come l’informatica di ultima generazione, data center e sistemi con intelligenza artificiale”, commenta.
La memoria DRAM DDR5 da 12 nm firmata Samsung, inoltre, ha completato la valutazione prodotto che garantisce la compatibilità con le piattaforme Zen di AMD.
