Samsung Electronics presenta la DRAM HBM3E 12H
Si tratta del prodotto HBM a maggior capacità sul mercato, con 36 GB. L’ampiezza di banda arriva fino a 1280 GB/s.
Il gigante tecnologico sudcoreano Samsung Electronics ha sviluppato la prima DRAM HBM3E 12H (HBM3E 12H), la cui produzione su larga scala è prevista per questa primo semestre dell’anno.
HBM3E 12H è il prodotto HBM a maggiore capacità, con 36 GB e riuscirà ad offrire fino a 1280 GB/s di ampiezza di banca. Entrambe le cifre rappresentano un miglioramento di oltre il 50% rispetto al prodotto HBM3 8H a 8 stack.
Migliora poi anche la densità verticale, in questo caso di oltre il 20%. A tal senso, Samsung ha utilizzato la tecnologia TC NCF che impone un miglioramento anche a livello di proprietà termiche.
HBM3E 12H si rivolgerà a sistemi che richiedono più memoria, in un contesto segnato dal boom per applicazioni di intelligenza artificiale. La velocità media per addestramento può essere aumentata del 34% e il numero di utenti simultanei per servizi di inferenza di ben 11,5 volte.
“I provider di servizi IA del settore hanno bisogno sempre di più HBM con maggiore capacità”, commenta a riguardo Yongcheol Bae, vicepresidente esecutivo di pianificazione prodotti di memoria per Samsung Electronics, e “il nostro nuovo prodotto HBM3E 12H è stato progettato per rispondere a queste necessità”.
