Samsung lavora già con i 3 nanometri
Ha dato il via alla produzione dei suoi primi chip con architettura a transistor GAA.
Samsung Electronics si è ufficialmente lanciata alla volta dei semiconduttori a 3 nanometri. La società sudcoreana ha cominciato a produrre i primi chip di questo tipo che comprendono un’architettura a transistor Gate-All-Around (GAA).
La tecnologia GAA di Samsung si chiama MBCFET, utilizza una nanostruttura con canali ampi e promette progressi a livello di performance ed efficienza energetica rispetto al FinFET.
Rispetto al processo a 5 nanometri, questo a 3 nanometri riduce il consumo del 45% e accelera la performance del 23%. La seconda generazione dovrebbe riuscire ad abbattere il consumo fino al 50% e migliorare il rendimento del 30%.
Il direttore del dipartimento di processi di fonderia per Samsung Electronics, Siyoung Choi, promette di portare ancora più avanti “l’innovazione attiva per lo sviluppo competitiva” e di dare presto vita a “processi che aiuteranno a raggiungere sempre prima la maturità tecnologica”.
