Samsung presenta la propria DRAM DDR5 da 32 Gb con processo da 12 nm
La soluzione è pensata per data center e applicazioni come intelligenza artificiale.
Samsung Electronics avanza nello sviluppo di memorie DRAM DDR5. Dopo aver iniziato la produzione di DRAM DDR5 da 16 Gb e a 12 nm, ora annuncia lo sviluppo del modello da 32 Gb, la cui produzione di massa è prevista per fine anno.
Pensata per data center, applicazioni come intelligenza artificiale, l’industria e contesti che richiedono efficienza energetica, la soluzione aumenta la densità di integrazione e di ottimizzazione del design. Non richiede processo TSV.
Raddoppia la capacità di una DRAM DDR5 da 16 GB della stessa dimensione e rispetto ai moduli da 128 Gb e con 16 Gb di DRAM, riduce il consumo del 10%.
“Con la nostra DRAM da 32 Gb e 12 nm, abbiamo assicurato una soluzione che abiliterà i moduli DRAM fino a 1 TB, il che ci permetterà di collocarci in una posizione ideale per soddisfare la crescente domanda di DRAM ad alta capacità nell’era dell’intelligenza artificiale e dei Big Data”, commenta SangJoon Hwango, vicepresidente esecutivo di Prodotti e Tecnologie DRAM per Samsung Electronics.
Samsung promette di continuare a sviluppare “soluzioni DRAM con tecnologie di processo e design differenziate per sfondare i limiti della tecnologia di memoria”.
